คุณสมบัติ:
แอปพลิเคชันไคลเอนต์พีซี เกมคอนโซล
พิกัดความจุ 2,000GB
ฟอร์มแฟกเตอร์ ม.2 (2280)
อินเทอร์เฟซ PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
ขนาด (กxยxส) 80 x 22 x 2.3 มม
น้ำหนักสูงสุด 9.0g น้ำหนัก
หน่วยความจำเก็บข้อมูล Samsung V-NAND 3-bit MLC
คอนโทรลเลอร์ Samsung in-house Controller
หน่วยความจำแคช Samsung 2GB DDR4 SDRAM พลังงานต่ำ

ข้อมูลจำเพาะ:
ความจุ: 1TB
ฟอร์มแฟกเตอร์: ม.2 2280
อินเทอร์เฟซ: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
หน่วยความจำเก็บข้อมูล: Samsung V-NAND 3-bit MLC
ตัวควบคุม: ตัวควบคุมภายในของ Samsung
การอ่านตามลำดับ: สูงสุด 7,450 MB/s
การเขียนตามลำดับ: สูงสุด 6,900 MB/s
การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD32): สูงถึง 1,200,000 IOPS
การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD32): สูงสุด 1,550,000 IOPS
การอ่านแบบสุ่ม (4KB, QD1): สูงถึง 22,000 IOPS
การเขียนแบบสุ่ม (4KB, QD1): สูงถึง 80,000 IOPS
หน่วยความจำแคช: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
การใช้พลังงานเฉลี่ย (ระดับระบบ): 5.4 W (เฉลี่ย); 7.8 W (สูงสุด, โหมดถ่ายภาพต่อเนื่อง)
การใช้พลังงาน (ว่าง): สูงสุด 50 มิลลิวัตต์
แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต: 3.3 V ± plusmn; 5 %
ความน่าเชื่อถือ (MTBF): 1.5 ล้านชั่วโมง
อุณหภูมิในการทำงาน: 0 - 70 ℃
การกระแทก: 1,500 G & 0.5 ms (ฮาล์ฟไซน์)
GC (Garbage Collection): อัลกอริทึมการเก็บขยะอัตโนมัติ
รองรับการเข้ารหัส: การเข้ารหัส AES 256 บิต (คลาส 0)TCG/Opal IEEE1667 (ไดรฟ์เข้ารหัส)
ขนาด : 80 x 22 x 2.3 มม
น้ำหนัก : 9.0g