• JEDEC มาตรฐาน1.35โวลต์
• Vddq = 1.35V
• 800MHz fck สำหรับ1600MB/วินาที/ขา
• เวลาแฝงของ CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• เวลาแฝงของสารเติมแต่งที่สามารถตั้งโปรแกรมได้: 0, CL - 2หรือ CL - 1 CLOCK
• พรี-เฟท8บิต
• ความยาว Burst: 8 (Interleave โดยไม่มีขีดจำกัดใดๆตามลำดับด้วย
• เริ่มต้นที่อยู่ “000” เท่านั้น), 4กับ tccd = 4ซึ่งไม่ได้
• อนุญาตให้อ่านหรือเขียนได้อย่างราบรื่น (ไม่ว่าจะเป็นการบินโดยใช้ A12หรือ
• Mrs)
• แฟลชข้อมูลแบบสองทิศทาง
• การสอบเทียบภายใน (self): การสอบเทียบภายในด้วยตนเองผ่าน ZQ
• ขา (rzq: 240โอห์ม ± 1%)
• เมื่อสิ้นสุดตายโดยใช้ ODT PIN
• ระยะเวลาการรีเฟรชเฉลี่ย7.8us ต่ำกว่า Tcase 85 °C,
• 3.9us ที่85 °C <Tcase <95 °C °
• รีเซ็ตแบบอะซิงโครนัส
• • PCB: ความสูง0.740 "(18.75มม.) หรือ1.180" (30.00มม.)

JEDEC มาตรฐาน1.35โวลต์

Vddq = 1.35V

800MHz fck สำหรับ1600MB/วินาที/ขา

เวลาแฝงของ CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้: 11, 10, 9, 8, 7, 6

เวลาแฝงของสารเติมแต่งที่สามารถตั้งโปรแกรมได้: 0, CL - 2หรือ CL - 1 CLOCK

พรี-เฟท8บิต

ความยาว Burst: 8 (Interleave โดยไม่มีขีดจำกัดใดๆตามลำดับด้วย

เริ่มต้นที่อยู่ “000” เท่านั้น), 4กับ tccd = 4ซึ่งไม่ได้

อนุญาตให้อ่านหรือเขียนได้อย่างราบรื่น (ไม่ว่าจะเป็นการบินโดยใช้ A12หรือ

Mrs)

แฟลชข้อมูลแบบสองทิศทาง

การสอบเทียบภายใน (self): การสอบเทียบภายในด้วยตนเองผ่าน ZQ

ขา (rzq: 240โอห์ม ± 1%)

เมื่อสิ้นสุดตายโดยใช้ ODT PIN

ระยะเวลาการรีเฟรชเฉลี่ย7.8us ต่ำกว่า Tcase 85 °C,

3.9us ที่85 °C <Tcase <95 °C °

รีเซ็ตแบบอะซิงโครนัส

• PCB: ความสูง0.740 "(18.75มม.) หรือ1.180" (30.00มม.)